我國在應用固態硬盤、磁硬盤、磁帶、半導體等數據存儲領域都面臨“卡脖子”問題,亟須構筑存儲領域發展長板。當前我國在電存儲和磁存儲領域尚不具備國際競爭優勢,特別是磁盤存儲市場被美國和日本企業壟斷。當前全球光存儲技術及產業尚未進入成熟期,我國領軍企業與研發
公開資料顯示,截止2021年,全球DRAM總產能大約是150萬片/月,預測到2022年底,會提升至160萬片/月左右。
產業環境方面,目前閃存(NAND Flash)和內存(DRAM)市場主要被美韓日等國外幾家企業所壟斷,如韓國三星、海力士、美國鎂光、日本東芝等,其中國際DRAM市場中,三星連續10多年蟬聯世界第一,市占率維持在60%。從全球DRAM芯片市場銷售區域來看,中國是全球第二大DRAM消費市場,僅次于美國,市場前景較好。
2016年手機內存需求的快速增長導致全球內存芯片缺貨,而內存條價格也跟著水漲船高,比如當時一根DDR4 8G PC用內存條價格一度漲到900元。據Business korea報道,內存價格大漲的背后可能不全是市場因素,是三星、美光等存儲公司通過削減產量、減少供應的方式,抬高了DRAM的價格。
由于中國擁有龐大內需市場優勢,目前已成為全球最大集成電路消費市場。中國集成電路產業是獲得中國政府大力支持的一個戰略性產業,歷年集成電路設計公司規模持續增長及設計能力顯著提升。盡管中國集成電路設計公司的平均規模仍落后于世界頂尖的集成電路企業,但差距已日益縮小。
但是存儲器作為我國集成電路產業中占比最大的領域之一,勢必會在我國信息產業發展中扮演極為重要的角色,而云計算、物聯網、大數據等領域的布局,集成電路相關政策的發布,更是為存儲器產業發展奠定了市場、政策等基礎。
從外部發展環境來看,我國在應用固態硬盤、磁硬盤、磁帶、半導體等數據存儲領域都面臨“卡脖子”問題,亟須構筑存儲領域發展長板。當前我國在電存儲和磁存儲領域尚不具備國際競爭優勢,特別是磁盤存儲市場被美國和日本企業壟斷。當前全球光存儲技術及產業尚未進入成熟期,我國領軍企業與研發機構有望與國際領先水平同步創新,甚至引領產業技術發展方向。
從技術路線來看,全息光存儲被視為下一代光存儲技術。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術,采用與傳統二維存儲完全不同的機理。與目前存儲方式相比,全息光存儲技術將提供超過TB(太字節)級的存儲容量,能夠滿足更大數據量的存儲需求,為數據的讀取提供更快的速度。
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