全球半導體儲存器產業市場格局 中國半導體存儲器行業發展前景

• 2021年11月9日 HuangJiang來源：新浪 655 38
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據市場調查機構TrendForce預測，全球DRAM(半導體存儲器的一種)價格將結束今年年初以來一直上漲的趨勢，第四季度將環比下降3%～8%，特別是明年將進一步下跌，預計將比今年下降15%～20%。受行業負面預測影響，在全球DRAM市場占據第一和第二位的三星電子和SK海力士近

半導體存儲器是半導體集成電路工藝制成的存儲數據信息的固態電子器件。它由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構成。

RAM包括DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器)，當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲器。

半導體儲存器行業發展現狀

2021年Q3，包括DRAM和NAND閃存在內的半導體存儲(Mos Memory)的出貨額并未超過2018年Q3的峰值(441億美元)。但從2020年Q4到2021年Q2出貨量的急劇上漲，不免令人心生恐懼，因為這個斜率與2016-2018年Q3的內存泡沫相當。

據市場調查機構TrendForce預測，全球DRAM(半導體存儲器的一種)價格將結束今年年初以來一直上漲的趨勢，第四季度將環比下降3%～8%，特別是明年將進一步下跌，預計將比今年下降15%～20%。但也有人預測稱，即使半導體存儲器價格有所調整，也不會出現價格暴跌或行業蕭條的局面，明年第二季度將再次反彈。

受行業負面預測影響，在全球DRAM市場占據第一和第二位的三星電子和SK海力士近期股價走弱。據悉，DRAM銷售在三星電子半導體部門和SK海力士存儲器部門所占比重分別為90%和50%。韓業界人士表示，韓國半導體行業不應被DRAM價格下跌論所束縛，而應提高新一代DRAM和半導體代工的競爭力。

根據中研普華出版的《2021-2026年半導體儲存器行業深度分析及投資價值研究咨詢報告》顯示：

據統計，存儲器在整個半導體市場規模中的占比超過三分之一，智能手機等消費級產品的存儲容量配置持續提升，數據中心對存儲耗用量也在持續提升，整體存儲位元的需求持續增長。

全球半導體儲存器產業市場格局

存儲產業市場格局高度集中，主流存儲器DRAM、NAND市場額均高度集中于三星、海力士、美光、鎧俠等海外廠商，而國內存儲產業尚處于起步階段。

三星是半導體存儲器的巨頭企業。近日，三星第四次參加第四屆北京進博會。隨著全球數據量以指數級增長、數據類型逐漸多元，數據處理需要更加安全、高效的存儲和讀取技術。本屆進博會上，三星展示了多款面向大數據業務的存儲產品。

DRAM是最為常見的系統內存，存儲速度快、存儲容量大，在計算機中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內存，是業內首款基于14納米EUV技術的DRAM產品，容量可達512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達7200MHz，能滿足超級計算機、機器學習、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業對綠色發展的要求。

NAND閃存方面，三星展出了新一代企業級SSD硬盤PM9A3系列，使用三星第六代V-NAND閃存技術，容量最高達7.68TB，速度可達6500MB/s，存儲一部5GB的高清電影僅需約0.7秒，對需要高速處理大容量數據存儲的用戶及企業來說，可大幅提升工作效率。

面向AI時代對超高速處理速度的需求，三星展示了針對AI效率提升的存儲產品。代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，容量是上一代8GB“Aquabolt”HBM2的兩倍，速度提高1.5倍，AI訓練效率提高6倍，同時可顯著提高帶寬及電源效率，這將極大提升下一代計算機系統的性能。

中國半導體儲存器行業發展前景

根據資料，2017年，中國科學院微電子研究所與北京航空航天大學聯合成功制備國內首個80納米自旋轉磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件，對我國存儲器行業的技術突破形成了具有實際意義的推動作用...

之后，國內開始布局存儲產業規模化，中國大陸的存儲器公司陸續成立，存儲產業也取得明顯的進展。在半導體國產化的大趨勢下，國內存儲器行業有望迎來新的發展和機遇。

近年來，中國陸續攻克了3D NAND Flash和DRAM技術。DRAM現在的發展按照產品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統型(Legacy/SDR)DRAM。NAND Flash的主流應用為SSD等大容量存儲領域，使用MLC、TLC 2D NAND或3D NAND等。

目前市場上DRAM的應用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm。另外，NAND Flash的發展方向是3D堆疊，國外先進企業均已紛紛開發出100層以上堆疊的NAND Flash。

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