存儲產業最新進展分析：DNA數字存儲糾錯新算法、二維高性能浮柵晶體管存儲器

• 劉明月 2023年9月20日 來源：新華社 1382 91
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在國產替代的趨勢下，國內廠商存儲器技術的逐漸成熟，國產品牌開始迅速壯大。目前我國外部存儲器市場上國產品牌已經占據約 60%的市場份額。

存儲產業最新進展分析：DNA數字存儲糾錯新算法、二維高性能浮柵晶體管存儲器

我國科學家提出DNA數字存儲糾錯新算法

從中國農業科學院獲悉，該院深圳農業基因組研究所農業基因組學技術研發與應用創新團隊提出DNA數字存儲糾錯新算法，成功突破了冗余對糾錯能力的限制，將大幅提升DNA存儲糾錯能力。相關研究成果日前發表在我國學術期刊《國家科學評論》上。

我國科研團隊在二維高性能浮柵晶體管存儲器方面取得重要進展

從華中科技大學了解到，該校材料成形與模具技術全國重點實驗室教授翟天佑團隊在二維高性能浮柵晶體管存儲器方面取得重要進展，研制了一種具有邊緣接觸特征的新型二維浮柵晶體管器件，與現有商業閃存器件性能對比，其擦寫速度、循環壽命等關鍵性能均有提升，為發展高性能、高密度大容量存儲器件提供了新的思路。

中研研究院出版的《2023-2028年中國存儲器行業發展分析與投資前景預測報告》顯示

存儲器行業發展分析

在國產替代的趨勢下，國內廠商存儲器技術的逐漸成熟，國產品牌開始迅速壯大。目前我國外部存儲器市場上國產品牌已經占據約 60%的市場份額。其中，華為目前排名第一，市場占有率約為20%，Dell EMC 排名第二，市占率 14%，第三到六名分別是?？低?、IBM、曙光和浪潮。除此之外，主要的國內廠商還包括：長江存儲、兆易創新、東芯半導體、江波龍等。

存儲設備作為我國集成電路產業中占比最大的領域之一，存儲設備勢必會在我國信息產業發展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯網、大數據等領域的布局，集成電路相關政策的發布，更是為存儲設備產業發展奠定了存儲設備行業市場、政策等基礎。

存儲器產業環境方面，目前閃存(NAND Flash)和內存(DRAM)市場主要被美韓日等國外幾家企業所壟斷，如韓國三星、海力士、美國鎂光、日本東芝等，其中國際DRAM市場中，三星連續10多年蟬聯世界第一，市占率維持在60%。從全球DRAM芯片市場銷售區域來看，中國是全球第二大DRAM消費市場，僅次于美國，市場前景較好。

DRAM是最為常見的系統內存，存儲速度快、存儲容量大，在計算機中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內存，是業內首款基于14納米EUV技術的DRAM產品，容量可達512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達7200MHz，能滿足超級計算機、機器學習、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業對綠色發展的要求。

2022年3月開始的相對高點之后，目前也處于下跌周期，周期長度與DRAM基本重合。代表性顆粒128\256\512GbTLCwafer價格均處于近兩年低谷，如512GbTLCWafer現貨目前平均價僅為1.40美金。我們預計，相比DRAM，NAND有望先迎來價格上行。

23Q3DRAM、NAND產品均價繼續下跌但跌幅預計減少，NANDFlashWafer產品均價有望上漲。對于短期內DRAM和NAND芯片的價格變動，參考TrendForce對3Q23產品價格的預估：

①DRAM方面，受益于DRAM供應商陸續啟動減產，以及季節性需求支撐減輕供應商庫存壓力，預期23Q3DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%，其中PCDRAM、ServerDRAM、MoblieDRAM、GraphicsDRAM、ConsumerDRAM的23Q3均價均預計環比下跌0~5%;

②NANDFlash方面，同樣受惠于原廠減產幅度持續擴大，與季節性旺季需求支撐，預估23Q3整體NANDFlash均價下跌收斂至3~8%，其中NANDFlashWafer均價預估將率先上漲，環比增長0~5%;

eMMC、UFS，其合約均價預計跌幅仍有約8~13%;EnterpriseSSD均價跌幅將收斂至5~10%;ClientSSD均價將環比下跌8~13%。

存儲器行業研究報告旨在從國家經濟和產業發展的戰略入手，預測未來業務的市場前景，以幫助客戶撥開政策迷霧，尋找行業的投資商機。存儲器報告在大量的分析、預測的基礎上，研究了行業今后的發展與投資策略，為企業在激烈的存儲器市場競爭中洞察先機，根據市場需求及時調整經營策略，為戰略投資者選擇恰當的投資時機和公司領導層做戰略規劃提供了準確的市場情報信息及科學的決策依據。

更多存儲器行業發展前景預測，請關注中研研究院出版的《2023-2028年中國存儲器行業發展分析與投資前景預測報告》。

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