國產功率半導體迎發展機遇 功率半導體行業供需預測2023

• 劉明月 2023年7月19日 來源：百度百科 中研網 524 28
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據了解，士蘭微、華潤微、揚杰科技、聞泰科技、斯達半導、捷捷微電、新潔能等A股功率半導體頭部企業，過去五到十年迎來了高速發展期。功率器件多樣化應用決定了市場集中度不高，全球第一大廠商市占率不到20%。由于功率半導體生命周期迭代慢的特有屬性，使得國產廠商更

國產功率半導體迎發展機遇

據了解，士蘭微、華潤微、揚杰科技、聞泰科技、斯達半導、捷捷微電、新潔能等A股功率半導體頭部企業，過去五到十年迎來了高速發展期。功率器件多樣化應用決定了市場集中度不高，全球第一大廠商市占率不到20%。由于功率半導體生命周期迭代慢的特有屬性，使得國產廠商更有機會追上歐美大廠。

近日，國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司(下稱“大基金二期”)再次向士蘭微拋出橄欖枝，其與士蘭微共同向成都士蘭半導體制造有限公司增資近16億元，為進一步推動汽車級功率模塊項目建設。

一定要加快產能的建設，讓碳化硅器件的產能跟上新能源市場的需求;二是加快主驅芯片可靠性驗證工作，目前碳化硅最大的應用場景就是新能源汽車的電驅部分，而電驅對芯片的可靠性要求極高，一般對芯片的驗證周期在一年半以上，因此必須抓住時間窗口，盡快通過可靠性驗證工作;三就是加快第三代半導體人才的培養，以碳化硅為代表的第三代半導體是一個非常新興的行業，國內外相關人才都非常稀缺，必須加快自身人才的培養，這也是行業可持續發展的關鍵。

中研普華產業院研究出版的《2022-2027年中國功率半導體行業供需預測及投資潛力研究報告》顯示

功率半導體行業供需預測2023

中國工信部發布了《基礎電子元器件產業發展行動計劃(2021-2023年)》，支持國內功率半導體器件的發展，提出到2023年，電子元器件銷售總額達到21000億元，形成一批具有國際競爭優勢的電子元器件企業，力爭15家企業營收規模突破100億元。

功率電子模塊的集成度半導體模塊之間的差異，不僅僅體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據集成度不同，可分為以下幾類：標準模塊，智能功率模塊(ipm)，(集成)子系統。通常，小規模的ipm的特點在于其引線框架技術。穿孔銅板用作功率開關和驅動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。

用于中高功率應用的ipm模塊的設計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導體在底部，驅動器和保護電路在上部。本領域內名氣最大的ipm是賽米控的skiip?，已面市超過了10年。這種無底板ipm系列產品的最大額定電流是2400a，包括一個驅動器和保護功能，加上電流傳感器、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風冷或水冷冷卻器上，并在供貨前進行全面的測試。

國產功率半導體已在眾多領域應用，特別是低端產品，如二極管、三極管、晶閘管、低壓MOSFET(非車規)等，已初現“規模化效應、國產化率相對較高”等特點。在中高端領域，如SJMOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車規產品，由于起步晚、工藝相對復雜以及缺乏車規驗證機會等問題，國內廠家依然在追隨海外廠家技術發展路線。但近年來，市場逐漸從依賴進口向國內自給自足轉變，國產替代潛力大。

國家和地方政策支持，加速國產替代進程。受益于國家和地方政府的鼓勵政策，國內電動汽車與充電樁、光伏與儲能等領域需求增長，功率半導體競爭格局有望被重塑——國內功率半導體的國產化進程有望加速。

功率半導體應用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產業鏈。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據性能不同，廣泛應用于汽車、充電樁、光伏發電、風力發電、消費電子、軌道交通、工業電機、儲能、航空航天和軍工等眾多領域。

數據顯示，行業前三名企業的市場份額合計達51%。其中英飛凌占比最多，達27%;三菱排名第二，占比14%;安森美占比10%，位居第三。本土企業中，士蘭微在全球IGBT單管及IPM市占率達到3.5%、2.2%，均位列全球第八;斯達半導在全球IGBT模塊市占率達3.0%，位列全球第六。

功率半導體的應用十分廣闊，近年來數字經濟、人工智能、光伏能源、新能源汽車等產業的快速發展，均為功率半導體帶來了新的需求增長點，其市場規模不斷增長。全球功率半導體市場規模為452億美元，預計2023年將超過500億美元。

半導體市場規模位居全球第一，占比達40%。

功率半導體領域中功率芯片占比超過50%，是功率半導體領域的主要細分產品，其次為功率半導體分立器件，全球功率芯片和功率半導體分立器件產品占比分別為55.78%和32.03%。

數據顯示，功率半導體市場規模將顯著受惠于電動車與新能源發電等趨勢，從2021年204億美元以復合年均成長率(CAGR) 6.9%的速度，功率半導體成長至2027年306億美元。其中，隨著工業自動化、不斷電系統、高壓直流電網及儲能系統等應用蓬勃發展，促進功率半導體需求增長。

近年來，國家陸續出臺政策鼓勵碳化硅行業發展與創新，疊加碳化硅襯底向大尺寸演進，有效提升材料使用率，以及晶棒、襯底良率持續提升，未來碳化硅器件的生產成本有望持續下降，預計在高電壓場景中將先具備替代優勢。隨著國內企業產品得到驗證進程加速，下游廠商認可程度不斷提升，海外企業與國內企業差距相對縮小，國產市場具備廣闊的市場空間。

2023年中國大陸地區IGBT市場規模預計達到290.8億元，同比增長11.6%。據中國半導體器件行業現狀深度分析與未來投資預測報告數據，2023年中國大陸地區MOSFET市場規模將達到396.2億元(56.6億美元，人民幣兌美元匯率按照7計算)，同比增長4.8%。

預計到2025年，GaN 功率半導體市場規模可達到 13.2 億美元。此外集邦咨詢強調，第三代功率半導體基板相較于傳統硅基板的制造難度和成本也都更高。當前，國家政策大力扶持為中國功率半導體行業創造良好的發展環境，同時下游市場景氣程度較高，為功率半導體功率的需求提供了有力支撐，半導體產業重心轉移及第三代半導體材料發展帶來國產替代巨大機遇。

更多功率半導體行業的市場數據及未來行業投資前景，可以點擊查看中研普華產業院研究出版的《2022-2027年中國功率半導體行業供需預測及投資潛力研究報告》，

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