近年來,中國電子束曝光系統的產量和產值都呈現出較快的增長態勢。據統計,2021年,中國電子束曝光系統的產量約為864臺,同比增長12.06%;產值約為6.82億美元,同比增長18.40%。
電子束曝光是用低功率密度的電子束照射電致抗蝕劑,經顯影后在抗蝕劑中產生圖形的一種微細加工技術。
光刻技術的精度受到光子在波長尺度上的散射影響。使用的光波長越短,光刻能夠達到的精度越高。根據德布羅意的物質波理論,電子是一種波長極短的波。這樣,電子束曝光的精度可以達到納米量級,從而為制作納米線提供了很有用的工具。電子束曝光需要的時間長是它的一個主要缺點。為了解決這個問題,納米壓印術應運而生。
根據中研普華產業研究院發布的《2022年全球與中國電子束曝光系統(EBL)市場深度研究報告》顯示:
隨著器件的特征尺寸不斷縮小,在掩模版制造中普遍采用電子束曝光和激光光刻設備,在這兩類設備中,電子束設備在性能和數量上均占優勢。最先進的激光制版系統,其束斑直徑在0.2μm左右,可以用來制作0.18μm,0.15μm生產線的掩模版,但對特征尺寸更小的器件的掩模,只能用電子束曝光系統來制作,特別是用于光學光刻中的銘版制造。
據不完全統計,截至2021年底,全球電子束曝光系統產能約為3564臺,產量約為3411臺,產能利用率約為95.71%。
近年來,中國電子束曝光系統的產量和產值都呈現出較快的增長態勢。據統計,2021年,中國電子束曝光系統的產量約為864臺,同比增長12.06%;產值約為6.82億美元,同比增長18.40%。
2021年美國電子束曝光系統的產量約為268臺,較2020年增長了5.10%;產值約為2.29億美元,較2020年增長了6.02%。
據統計,2021年歐洲電子束曝光系統的產量約為1364臺,較2020年增長了6.98%;產值約為14.14億美元,較2020年增長了12.67%。
隨著器件的特征尺寸不斷縮小,在掩模版制造中普遍采用電子束曝光和激光光刻設備,在這兩類設備中,電子束設備在性能和數量上均占優勢。最先進的激光制版系統,其束斑直徑在0.2μm左右,可以用來制作0.18μm,0.15μm生產線的掩模版,但對特征尺寸更小的器件的掩模,只能用電子束曝光系統來制作,特別是用于光學光刻中的銘版制造。
這種曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工藝容限大,而且生產效率高,但由于電子束在光刻膠膜內的散射,使得圖案的曝光劑量會受到臨近圖案曝光劑量的影響(即臨近效應),造成的結果是,顯影后,線寬有所變化或圖形畸變。雖然如此,限角度投影式電子束光刻仍是最具前景的非光學光刻。
中研普華利用多種獨創的信息處理技術,對電子束曝光系統(EBL)行業市場海量的數據進行采集、整理、加工、分析、傳遞,為客戶提供一攬子信息解決方案和咨詢服務,最大限度地降低客戶投資風險與經營成本,把握投資機遇,提高企業競爭力。
了解更多行業詳情,可以點擊查閱中研普華產業研究院的《2022年全球與中國電子束曝光系統(EBL)市場深度研究報告》。

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2022年全球與中國電子束曝光系統(EBL)市場深度研究報告
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