集成電路三大元器件產業發展

• 朱夢華 2023年4月27日 來源：互聯網 965 60
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超級電容器是一種能夠快速儲存和釋放電能的儲能裝置，具有功率密度大、充放電時間 短、使用壽命長、溫度特性好、節能環保等特點。當前超級電容器通常指雙電層電容器，由正極、負極、電極之間的隔膜以及電解液構成。隨著下游應用場景的不斷擴展，對超級電容器的需求也在

據中研產業研究院發布的《2023-2028年中國集成電路行業深度調研及發展策略研究報告》數據顯示

第一節 電容器

一、中國電容器產業發展現狀

電容器是三大被動元件之一，是電子線路中必不可少的基礎元件。電容器通過靜電的形式儲存和釋放電能，在兩極導電物質間以介質隔離，并將電能儲存其間。主要作用為電荷儲存、交流濾波或者旁路、切斷或阻止直流電壓、提供調諧及振蕩等，廣泛應用于電路中的隔直通交、耦合、旁路、濾波、調諧回路、能量轉換、控制等方面。下游應用場景廣泛，軍用領域包括航空、航天、艦船、兵器、電子對抗等；民用工業類領域包括系統通訊設備、工業控制設備、醫療電子設備、軌道交通、精密儀表儀器、石油勘探設備、汽車電子等；民用消費類領域包括筆記本電腦、數碼相機、手機、錄音錄像設備等。

電容器主要有鉭電解電容、鋁電解電容、陶瓷電容器和薄膜電容器四種類型，分別占比7%、32%、53%、8%。四種不同類型的電容有著不同的特點：陶瓷電容小型化優勢明顯，尤其適用于消費電子設備，其電容量比較小，適用于高頻領域；電解電容容量比較大，適用于低頻領域；薄膜電容的電容量介于前兩者之間，突出的優點是耐高壓，可靠性好。

目前，我國電容器生產廠商主要分布于珠江三角洲、長江三角洲和環渤海京津地區。其中，珠江三角洲地區電子信息產業發達，是中國最大的家電生產基地，也是全球重要的計算機硬件生產基地；長江三角洲以半導體制造、筆記本電腦、手機及零部件為主；環渤海京津地區為電子信息產業生產和科研基地。這些區域均有電容器廠商投資設廠。

二、超級電容器市場前景廣闊

超級電容器是一種能夠快速儲存和釋放電能的儲能裝置，具有功率密度大、充放電時間 短、使用壽命長、溫度特性好、節能環保等特點。當前超級電容器通常指雙電層電容器，由正極、負極、電極之間的隔膜以及電解液構成。

隨著下游應用場景的不斷擴展，對超級電容器的需求也在不斷增長，未來隨著新能源汽車、軌道交通、電力系統等領域的需求推動，我國超級電容器行業將繼續保持高速增長。

目前超級電容器在新能源客車、軌道交通、智能儀表、電網設備、UPS、港口重型機械、國防軍工等領域存在廣泛應用。其中，超級電容器在新能源領域應用最廣，市場份額為41.31%。其次為應用于交通運輸領域的電容器市場占比為31.36%；第三為應用于工業領域的超級電容器市場億元，占比20.36%。

《基礎電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023年）》提出要面向智能終端、5G、工業互聯網、數據中心，新能源汽車等重點市場，推動基礎電子元器件產業實現突破，并增強關鍵材料、設備儀器等供應鏈保障能力。

三、薄膜電容將逐漸取代鋁電解電容

以風力發電、太陽能發電、電動汽車為代表的新能源市場日益繁榮，極大地拉動了電容器的市場需求。薄膜電容在新能源領域的應用開發使得行業迎來新的產業機遇。隨著薄膜電容技術的不斷發展，其耐高電壓、濾波能力強、壽命長、使用溫度范圍寬、能在惡劣的環境下工作等優點特別適合在新能源領域的應用，因而越來越受到新能源行業的關注。

薄膜電容在風力發電、太陽能發電領域的應用主要在電力設備變頻、電流變換、電源控制、功率矯正等方面。以前基本上都是使用鋁電解電容為主，但薄膜電容在這個領域的優勢越來越明顯。隨著薄膜電容價格的下降，在風能、光伏發電領域，薄膜電容取代鋁電解電容將是未來的發展趨勢。同時，變頻技術應用領域不斷推廣，通訊設備更新換代周期縮短，多重利好因素作用下，高端電容器市場迅速發展。

四、電力電容器產業機遇與挑戰

隨著汽車技術的發展及環保政策趨嚴，新能源汽車得到迅速發展，市場需求量不斷擴大。但電動汽車實際應用的充電問題一直得不到解決，仍然存在充電樁數量不足、布局不合理、維護不到位、老舊小區建樁難等問題。現階段公眾在選擇純電動汽車和傳統能源汽車產品消費時，充電的便捷程度（包括充電樁分布位置和充電所需時間）是重點關注方向。

由于充電設施前期投入較大，充電設施企業運營盈利差，市場化的參與單位參與意愿低，使得充電設施配套少。其次電動車平均每次充電需要一到三個小時，且電池需要做專門的定期維護，使用3-5年后還需更換新電池，更新費用較高，這些條件嚴重制約了電動汽車的實際推廣和應用。

超級電容器可在解決電動汽車充電問題上發揮重要作用，超級電容器具備功率密度大，充放電速度快，瞬間輸出功率大的優勢，不僅可在汽車啟動的時候為汽車提供峰值電流，為瞬間大負荷的工作提供充足的能源保障，而且也可以達到降低燃油成本、降低排放、提高汽車性能的效果。因此，將超級電容器是一種理想的電動汽車儲能設備。如再將普通的儲能電池和超級電容器組合成混合儲能單元，結合兩者優勢，必將大大提升超級電容器在電動汽車的應用優勢。

第二節 電感器

一、電感器市場競爭改變行業格局

電感是一種能將電能通過磁通量的形式儲存起來的被動電子元件。通常為導線卷繞的樣子，當有電流通過時，會從電流流過斱向的右邊產生磁場。"電感、電容、電阷"是電子學三大基本無源器件。

截止到2022年，全國傳感器產業有上市企業209家，占全國傳感器產業企業數量的9.94%；高成長企業395家，占全國傳感器產業企業數量的18.79%；高技術企業962家，占全國傳感器產業企業數量的45.77%。

目前全球主要的一體成型電感（Molding Choke）生產商有美系的Vishay，日系的TOKO（已被muRata收購），中國臺灣的乾坤和奇力新。預估這幾大廠商的產能約占全球80%以上，行業集中度高。最近幾年中國大陸電感廠商加大研収力度，麥捷、金籟、德瓏、華立、達嘉等企業，已經開發出一系列型號的一體化成型電感，在部分領域部分型號實現了國產突破，預計未來將有更多系列的產品實現國產化。

二、中國電感器市場需求日益上升

隨著萬物互聯及智能化時代來臨，下游市場應用場景的擴展和升級，帶動了電子元器件工業進一步發展。目前電子元器件發展趨勢為超微化、高功率密度化、綠色化及模組集成化。電子元器件是支撐信息技術產業發展的基石，為加快電子元器件產業及其上下游的高質量發展，推動產業基礎高級化、產業鏈現代化，促進我國信息技術產業發展，工信部印發《基礎電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023年）》（工信部電子〔2021〕5號）（以下簡稱"《行動計劃》"）。《行動計劃》以推動高質量發展為主題、深化供給側改革為主線、改革創新為根本動力、做強電子元器件產業及夯實信息技術產業基礎為目標，明確提出現階段要面向智能終端、5G、工業互聯網、數據中心、新能源汽車等重點市場，推動基礎電子元器件產業實現突破。通過增強電子元器件產業相關關鍵材料、設備儀器等供應鏈保障能力，推動產業鏈供應鏈現代化水平，為電子元器件行業的發展提供了基礎。

一體成型電感（Molding Choke）不僅可以用于手機，還可以用于汽車、航空、通信等多領域。僅以手機市場需求來看，目前MoldingChoke主要是蘋果、三星應用主導，HOV等品牉使用率較低，產品供不應求。

三、小型電感器市場潛力巨大

電感器件小型化、一體是發展趨勢，一體成型電感（Molding Choke）實現了電感的小型化和一體化，屬于繞線和扼流圈等的升級換代產品。一體成型電感（Molding Choke）是高端電感的一種，是直接用磁芯材料在線圈上成型制造，具備結構堅實牢固、特性精準等特點；采用磁屏蔽結構，路閉合抗電干擾強（EMI）；超低蜂鳴叫，可高密；產品小體積、大電流，在復雜環境下仍保持優良的溫升特性和電感特性。一體成型電感具有"耐大電流、電磁特性平穩、溫升穩定，低可聽噪聲、低放射噪聲，耐沖擊"等優勢，大有替代傳統電感的趨勢。

四、電感器發展趨勢

近年來，雖然國內電感器件行業發展勢頭平穩，企業規模不斷擴大，但行業企業間同質化競爭現象嚴重，產品結構單一，產品附加值發展空間還很大。值得關注的是，隨著越來越多的外部資本進軍國內市場，導致行業競爭壓力漸趨激烈，國內眾多中小企業抗風險能力較弱。現在雖然一些電感器件行業打造的產品己成功入駐市場，但隨著信息技術產業的興起普及，客戶對電感器件行業的認知都在逐漸發生著翻天覆地的變化。國產替代進口、集成化、利用新材料發展新產品等是未來中國電感器件主流趨勢。

第三節 電阻電位器

一、中國電阻電位器行業的發展分析

電阻器是一個限流元件，接在電路中后可限制通過它所連支路的電流大小。電阻根據結構形式分為引線電阻和片式電阻，其中引線電阻按照原材料和工藝細分為繞線電阻、碳合成電阻、碳膜電阻、金屬膜電阻、金屬氧化物膜電阻，片式電阻按照工藝分為厚膜電阻和薄膜電阻；根據阻值是否可以變化分為固定電阻和可變電阻，其中可變電阻包括手動調節阻值的電位器，以及阻值根據物理條件變化的熱敏電阻、壓敏電阻等。電阻在電路中起到限流和分壓的作用，廣泛應用于通訊、計算機、汽車電子、家電消費類等整機制造領域，是各類電子制造業生產中不可缺少且使用量較大的電子元件。在通用型領域，厚膜電阻由于價格便宜、阻值范圍寬、穩定性和可靠性好而應用最多；在精密型領域，薄膜電阻中的金屬箔電阻將憑借最佳的溫度穩定性成為核心發展方向。

2020年年底全球第二大芯片電阻廠厚聲發生分家事件，致使月產能減少50%（對應300億只月產能）；另外，被動元件大廠華新科產能重鎮廣東東莞大朗廠于2021年1月失火進一步加劇供給緊張；而5G手機、汽車電子等下游終端市場景氣度回升帶動電阻需求增長，電阻行業出現全面性的供需緊俏。此外，包括陶瓷基板、油墨、貴金屬在內的上游原材料價格全面起漲（例如全球第一大陶瓷基板廠商三環集團于2月1日調漲全尺寸陶瓷基板價格10-15%）亦推動了2021年的Q1的漲價潮。而隨后5月底開始的馬來西亞疫情又進一步加劇供給側的緊縮（影響全球約10%的電阻產能）。根據ECIA的數據，電阻貨期已經由2020年底的16周上升至2021年6月份的20周。

二、中國電阻器產業競爭激烈

全球先進被動元件企業一直看好行業前景，持續投資擴大產業規模，強化新產品開發及優化產品結構，在規模及產品技術上繼續保持領先地位。受益于5G等新興市場應用領域需求增長、國產化替代需求急升等拉動影響，國內電子元器件行業企業均紛紛加大產能規模擴張和技術水平提升的投資，行業競爭將愈加激烈。

三、電阻電位器傳統與新型產品并行

電阻按阻值可以分為固定電阻、可調電阻、特種電阻，其中固定電阻占比最大，固定電阻中片式電阻應用最廣泛。

片式電阻按工藝可分為厚膜電阻和薄膜電阻。厚膜是采用絲網印刷將電阻性材料淀積在絕緣基體（例如玻璃或氧化鋁陶瓷）上，然后燒結形成。薄膜是在真空中采用蒸發和濺射等工藝將電阻性材料淀積在絕緣基體工藝（真空鍍膜技術）制成。目前最常用的是厚膜電阻。

片式電阻主要應用于5G通信領域、汽車電子、PC領域和家電類領域。（1）5G建設是新基建的核心內容，是近5年到10年我國刺激經濟最重要的抓手，該市場對于小尺寸片式電阻器需求巨大。（2）受益于汽車工業電動化、智能化、網聯化的發展趨勢，以及汽車電子在整車中的成本占比快速上升等多重利好因素，汽車電子市場增長速度已遠遠超過整車市場。未來，隨著自動駕駛、無人駕駛技術及新的信息化技術在汽車上的應用，汽車電子市場將會持續增長。（3）PC市場已經較為成熟，主要是規模成本的競爭。（4）家電行業近年來結合物聯網的快速發展向智能化、網絡化、小型全貼片化的趨勢發展，同時為了達到國家新能效的要求，變頻等新技術也廣泛應用到家電產品中，帶來了大功率片式電阻、高壓電阻、合金電阻、抗硫化電阻及小尺寸電阻等需求。

移動終端是片式電阻器的主要應用市場。隨著人們生活水平的提高，追求更高性能和時尚已成為一種趨勢，移動終端的發展推動了片式電阻器的市場增長需求。

四、中國電阻電位器產業發展趨勢

目前我國電子元件進出口市場呈現大進大出的特點，而且主要是大量進口高端產品、大量出口低端產品，一些電子元件高端產品仍需要依賴進口，比如在中高端電阻器上目前國內廠家競爭力較弱，所以中高端電阻器市場還有較大的發展空間。

中高端電阻器的進口替代是國內電阻器生產廠家未來發展的一個方向。此外，與一般大批量生產的電阻相比，中高端電阻器行業由于其產品質量要求較高等因素，其行業壁壘更強，一般企業更難介入，相應市場競爭程度也較小，利潤水平較高。比如新型大功率特種電阻器是電阻器行業發展的一個重要方向，主要包括風力發電用特種電阻器、變頻器用電阻器、軌道交通特種功率電阻器，電動汽車用特種功率電阻器等。

第四節 其它相關元件的發展概況

一、淺談晶體管發展歷程

在晶體管誕生之前，放大電信號主要是通過真空電子管，但由于真空管制作困難、體積大、耗能高且使用壽命短，使得業界開始期望電子管替代品的出現。1945年秋天，貝爾實驗室正式成立了以肖克利為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人，開始對包括硅和鍺在內的幾種新材料進行研究。

1947年貝爾實驗室發表了第一個以鍺半導體做成的點接觸晶體管。但由于點接觸晶體管的性能尚不佳，肖克利在點接觸晶體管發明一個月后，提出了使用p-n結面制作接面晶體管的方法，稱為雙極型晶體管。當時巴丁、布拉頓主要發明半導體三極管；肖克利則是發明p-n二極管，他們因為半導體及晶體管效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。

晶體管因為有以下的優點，因此可以在大多數應用中代替真空管：沒有因加熱陰極而產生的能量耗損，應用真空管時產生的橙光是因為加熱造成，有點類似傳統的燈泡。體積小，重量低，因此有助于電子設備的小型化。工作電壓低，只要用電池就可以供應。在供電后即可使用，不需加熱陰極需要的預熱期。可透過半導體技術大量的生產。放大倍數大。

1、平面晶體管

平面工藝是60年代發展起來的一種非常重要的半導體技術。該工藝是在Si半導體芯片上通過氧化、光刻、擴散、離子注入等一系列流程，制作出晶體管和集成電路。凡采用所謂平面工藝來制作的晶體管，都稱為平面晶體管。

平面晶體管的基區一般都是采用雜質擴散技術來制作的，故其中雜質濃度的分布不均勻（表面高，內部低），將產生漂移電場，對注入到基區的少數載流子有加速運動的良好作用。所以平面晶體管通常也是所謂漂移晶體管。這種晶體管的性能大大優于均勻基區晶體管。

傳統的平面型晶體管技術，業界也存在兩種不同的流派，一種是被稱為傳統的體硅技術(BulkSI)，另外一種則是相對較新的絕緣層覆硅(SOI)技術。平面BulkCMOS和FD-SOI曾在22nm節點處交鋒了。其中，BulkCMOS是最著名的，也是成本最低的一種選擇，因此它多年來一直是芯片行業的支柱。但隨著技術的推進，BulkCMOS晶體管容易出現一種被稱為隨機摻雜波動的現象。BulkCMOS晶體管也會因此可能會表現出與其標稱特性不同的性能，并且還可能在閾值電壓方面產生隨機差異。解決這個問題的一種方法是轉向完全耗盡的晶體管類型，如FD-SOI或FinFET。

Bulk CMOS與FD-SOI兩者的區別在于后者在硅基體頂部增加了一層埋入式氧化物(BOX)層，而BOX上則覆有一層相對較薄的硅層。該層將晶體管與襯底隔離，從而阻斷器件中的泄漏。Intel是體硅技術的堅定支持者，而IBM/AMD則是SOI技術的絕對守護者。

2、FinFet晶體管

平面晶體管主導了整個半導體工業很長一段時間。但隨著尺寸愈做愈小，傳統的平面晶體管出現了短通道效應，特別是漏電流，這類使得元件耗電的因素。尤其是當晶體管的尺寸縮小到25nm以下，傳統的平面場效應管的尺寸已經無法縮小。在這種情況下，FinFET出現了。FinFET也被稱為鰭式場效應晶體管，這是一種立體的場效應管。FinFET的主要是將場效應管立體化。

第一種FinFET晶體管類型稱為"耗盡型貧溝道晶體管"或"DELTA"晶體管，該晶體管由日立中央研究實驗室的Digh Hisamoto，Toru Kaga，Yoshifumi Kawamoto和Eiji Takeda于1989年在日本首次制造。但目前所用的FinFet晶體管則是由加州大學伯克利分校胡正明教授基于DELTA技術而發明，屬于多閘極電晶體。

多閘極晶體管的載子通道受到接觸各平面的閘極控制。因此提供了一個更好的方法可以控制漏電流。由于多閘極晶體管有更高的本征增益和更低的溝道調制效應，在類比電路領域也能夠提供更好的效能。如此可以減少耗電量以及提升芯片效能。立體的設計也可以提高晶體管密度，進而發展需要高密度晶體管的微機電領域。

與平面CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術相比，Fin FET器件具有明顯更快的開關時間和更高的電流密度。Fin FET是一種非平面晶體管或"3D"晶體管。它是現代納米電子半導體器件制造的基礎。

2011年，英特爾將之用于22nm工藝的生產，正式走向商業化。從2014年開始，14nm（或16nm）的主要代工廠（臺積電，三星，Global Foundries）開始采用Fin FET設計。在接下來的發展過程中，FinFET也成為了14nm，10nm和7nm工藝節點的主要柵極設計。

3、GAA晶體管

而當先進工藝發展到了7nm階段，并在其試圖繼續向下發展的過程中，人們發現，Fin FET似乎也不能滿足更為先進的制程節點。于是，2006年，來自韓國科學技術研究院（KAIST）和國家nm晶圓中心的韓國研究人員團隊開發了一種基于全能門（GAA）Fin FET技術的晶體管，三星曾表示，GAA技術將被用于3nm工藝制程上。

GAA全能門與FinFET的不同之處在于，GAA設計圍繞著通道的四個面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓并且改善了對通道的控制，這是縮小工藝節點時的基本步驟，使用更高效的晶體管設計，再加上更小的節點尺寸，和5nmFinFET工藝相比能實現更好的能耗比。

GAA技術作為一款正處于預研中的技術，各家廠商都有自己的方案。比如IBM提供了被稱為硅納米線FET（nanowire FET）的技術，實現了30nm的納米線間距和60nm的縮放柵極間距，該器件的有效納米線尺寸為12.8nm。此外，新加坡國立大學也推出了自己的納米線PFET，其線寬為3.5nm，采用相變材料Ge2Sb2Te5作為線性應力源。

另據據韓媒Business Korea的報道顯示，三星電子已經成功攻克了3nm和1nm工藝所使用的GAA（GAA即Gate-All-Around，環繞式柵極）技術，正式向3nm制程邁出了重要一步，預計將于2022年開啟大規模量產。

從平面晶體管走到GAA晶體管，代工廠的研發投入越來越高。在這個過程中，格芯和聯電接連放棄了14nm以下先進制程的研究，英特爾雖然公布了其7nm計劃，但其已在10nm工藝節點上停留了很久。而三星也在7nm節點處落后于臺積電的發展，在這種情況下，臺積電幾乎包攬了市場上所有7nm的生意。

二、氮化鎵晶體管應用分析

氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體材料的代表之一，因其優越的性能，例如高電子遷移率、高電子飽和速率、耐高溫及高熱導率等優點吸引了越來越多的關注，也正是因為這些優點，垂直氮化鎵功率晶體管在未來的電力電子領域中具有很大的發展和廣泛的應用前景。

1、充電器及適配器。不同于十幾年前電腦的適配器及手機的"5V×1A"，目前市場上很多電子產品都使用了快充技術，小至45W，大至250W，再加上人們對便捷性的追求，大功率密度、高工作溫度和小體積等成為了目前充電器的發展目標。與目前普遍的Si基充電器相比，GaN基充電器在滿足功率密度的條件下可以實現更好的散熱、更高的工溫度和更小的體積。目前市場上已經出現了GaN充電器的"身影"，不僅體積比傳統手機、電腦充電器小得多，在充電速度和散熱方面也有著非常不錯的表現。

2、無線通信技術。隨著5G技術的發展，通信設備對大功率、高頻率、高速度的性能需求更加急切，GaN材料本身就已經具有這些物理性能，且GaN功率晶體管在滿足以上要求的情況下，在散熱、體積及功耗方面也有著較大的優勢，可進一步提升電子產品的性能，獲得更好的通信體驗。

3、無線充電器。無線充電目前也是一項熱門且快速發展的技術，各家手機廠商的旗艦機幾乎都適配了無線充電技術，甚至在電動汽車上也有它的"身影"。無線充電的頻率大致在100kHz~6。78MHz范圍內，這對充電設備在溫度控制、轉換頻率和大功率等方面有著較高的要求，尤其是給電動汽車這種大型工具進行無線充電，對充電設備的要求會更高。

4、汽車應用。GaN功率器件的發展，最大的受益者之一便是汽車的電氣系統，主要應用在車載充電器(onboardcharger，OBC)、DC-DC轉換器、電機驅動器和激光雷達。目前汽車電池的電壓范圍為600~1500V，對器件有高耐壓、大電流和快速開關的要求，而垂直GaN晶體管的發展使得汽車電氣系統具有更簡單靈活的設計和更高的性能。

5、大規模集成電路。目前的硅基器件已經逼近Si材料的理論極限，對高壓高頻大功率的需求卻在不斷增加，硅基器件在體積和散熱方面有很多的問題，不利于后續大規模集成電路的發展。而GaN材料不僅在物理性能上比硅材料更有優勢，在相同性能的情況下，制備出的晶體管體積可以大幅度減小，配合使用小型散熱器，可以大幅度解決集成電路在體積和散熱方面上的問題，并擁有更高的開關頻率，可提高設備的性能

三、發光二極管市場發展淺析

隨著技術的不斷發展，半導體二極管產業也發生著深刻的變革，新材料將成為產業新的發展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注，有望成為新型的半導體材料。

目前國產二極管行業市場集中度逐漸提高，企業資金充足，研發投入逐漸增加，特別是在 SiC領域，絕大多數大型二極管企業都有資金布局。再加上國產二極管封裝技術處于國際領先水平，封裝行業的高標準反過來又會促進半導體二極管芯片行業的快速發展，從而帶動整個行業的發展，向附加值較高的環節延伸。

規模優勢是半導體二極管行業企業控制成本提高自身競爭力的重要手段，因此不具備規模優勢的低端中小企業將難以持續投入資金進行研發、市場開拓，難以在行業內生存。近年來，中國半導體二極管產業加大整合力度，小企業逐步退出，市場集中度逐漸提高。

結合目前國外的功率二極管的發展情況，國內目前在基礎器件的研究和開發上已經到達了一個較高的研發階段，不過對于現在的功率二極管來說現有的的水平已經相對成熟。它有著非常可觀的發展前景，能夠讓我們在以后的生活里擁有更好的變壓器。功率二極管的發展歷史都是有目共睹的，已經逐漸的趨近于成熟。

如今中國半導體二極管封裝技術處于國際領先水平，封裝行業的高標準將反過來促使半導體二極管芯片行業的加速發展，進而帶動整個產業的發展，向附加值更高的環節延伸。

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